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第892章 取巧的办法（第2页）

杨东升通过大卫·韦伯订购的相关设备，已经发货。

“我们的65纳米工厂预计到今年年底才能建成，完全投产应该到明年。这个制程的工艺，英特尔是2005年实现的，台积电也在2006年就通过了65纳米制程技术的产品验证。等工厂投产后，我们跟世界先进水平的差距仍然有5年左右。”黄副总道。

“你有什么计划吗？”杨东升问。

“英特尔下一代研发的是32纳米制程工艺，我想研发28纳米！”黄副总道。

“32纳米和28纳米就差了4纳米，这不到一代的差距吧？”杨东升问。

“确实达不到一代的差距！不过……”黄副总语气一转，“作用还是很大的！”

“说说看！”杨东升放下笔，看向黄副总。

黄副总想了想道，“一直以来，用户只会注重芯片制程，其实晶体管密度才是与芯片性能直接相关的。在过去，同样制程下，三星、台积电的晶体管密度往往只能达到英特尔的一半，甚至到不了一半。三星采用45纳米制程的s5pc110处理器，晶体管密度才几乎能跟英特尔采用65纳米制程的酷睿2打平。我们有时候甚至比三星、台积电还要差一些！但是几年前，台积电却想出了一个取巧的办法，英特尔研发45纳米制程工艺的时候，他们就研发40纳米制程工艺。由于线宽只差了10%左右，技术难度并没有达到一代的差距，但是台积电却通过这5纳米的差距，缩小了跟英特尔的晶体管密度差距！”

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杨东升顿时明白了黄副总的意思，“所以台积电的40纳米工艺跟英特尔的45纳米工艺其实是同一代技术，并且相比英特尔还略有不如。但是在不懂行的人眼里，40纳米对45纳米，倒显得台积电的工艺更加先进似的，台湾人甚至偷偷摸摸的宣传他们领先英特尔一代！台湾人够鸡贼的！”

黄副总点点头，“所以我相信台积电在下一代芯片研发的时候，肯定还会这么做。根据我们掌握的信息，英特尔为下一代研发的是32纳米制程工艺。32纳米减去10%，就是28纳米左右！台积电肯定会直接搞28纳米制程！”

前世的书上，不少人介绍过台积电这段历史。

书里基本上都是赞扬台积电。

杨东升现在才明白，台湾人是生生把一个投机取巧，吹成了高瞻远瞩。

把一个不如人家的技术，吹成了比人家高一代。

杨东升不怀疑东升半导体可以直接搞出28纳米的工艺，毕竟前世台湾人都搞出来了。

他担心的是我们的半导体生产设备、生产材料，是否能达到相应的水平。

毕竟台积电可以在全世界，采购到最先进的半导体生产设备、生产材料。

杨东升现在名气越来越大，再过两年引起白宫注意，就算用尽手段，也未必能买到国外顶级的设备了。

东升半导体到时候只能靠自己！

杨东升说出了自己的疑问。

“我们的沉浸式光刻技术已经成熟，日本人加入后，对镜头的加工、光刻胶生产，也有了长足的进步，我有把握两年后拿出相应的设备，摆脱对国外设备的依赖！”黄副总道。

“这话听的解气！”

年节过后，杨东升先飞去绵州。

这里的高空试车台，经过修复和改进之后，再次投入使用。

改进后的试车台，最大供气量和最大供气压力都没变。

主要改进的是设备的制冷、制热能力。

高温下的空气流量提高到了100千克以上每秒。